Production annuelle de 4 000 tonnes de liquide de polissage CMP dédié au projet de silice fumée

1 Contexte du projet

Dans le contexte d’intensification des frictions commerciales sino-américaines, la concurrence pour le contrôle autonome des matériaux semi-conducteurs s’est intensifiée. Surtout ces dernières années, la nouvelle capacité de production de la Chine est devenue la principale augmentation des usines de fabrication mondiales, mais les matières premières et les équipements de production clés en amont qui limitent le renforcement de l'industrie des semi-conducteurs sont toujours presque monopolisés par les entreprises américaines et japonaises. C'est le blocus supplémentaire de l'industrie des puces, qui constitue presque un coup dur pour le développement de l'industrie des semi-conducteurs de mon pays. Par conséquent, la position stratégique de la localisation des matériaux semi-conducteurs a été soulignée et l'accélération du processus de substitution des importations dans le domaine des matériaux est une tendance générale.

2 Description du produit

Le polissage mécano-chimique CMP (ChemicalMechanicalPolishing) est une combinaison de corrosion chimique et de frottement mécanique. Il s’agit actuellement de la technologie de lissage de surface des matériaux semi-conducteurs la plus courante. Il combine les avantages du frottement mécanique et de la corrosion chimique, évitant ainsi les dommages de surface causés par un simple polissage mécanique et une vitesse de polissage lente, la planéité de la surface et le polissage provoqués par un simple polissage chimique. Inconvénients tels qu'une mauvaise cohérence. Une surface de tranche relativement parfaite peut être obtenue.

Il est généralement admis au niveau international que lorsque la taille des caractéristiques de l'appareil est inférieure à 0,35 µm, une planarisation globale doit être effectuée pour garantir la précision et la résolution de la transmission des images lithographiques, et CMP est actuellement presque la seule technologie capable de fournir une planarisation globale. Le schéma de principe de son équipement est le suivant :

Fluide de broyage : substance liquide ajoutée lors du broyage. La taille des particules est liée à des défauts tels que des rayures après broyage. Plus la particule est grosse, plus la plaquette est endommagée et plus la particule est petite, mieux c'est. La forme de base est composée d'un agent de polissage nano-poudre et d'une solution aqueuse de composant alcalin. La taille des particules est de 1-

100 nm, la concentration est de 1,5 % à 50 %, la composition de base est généralement du KOH, de l'ammoniac ou de l'amine organique et le pH est de 9,5 à 11.

En raison de la grande pureté de la silice fumée, de la taille des particules nanométriques d'origine et de la distribution granulométrique d'origine, le SiO2 fumé devient le principal abrasif dans la boue de polissage d'oxyde.

3 Matériaux du projet :

Poudre de silicium métallique, acide chlorhydrique, hydrogène. Production annuelle de 1 000 tonnes de projet de dioxyde de titane en phase gazeuse nano Production annuelle de 20 000 tonnes de papier spécial Projet spécial de carbonate de calcium léger Production annuelle de 1 000 tonnes de projet BIPB (DCP sans odeur) Recherche et développement continus

4. Installations de soutien au projet :

Parcs industriels chimiques, vapeur, électricité, eaux industrielles.

5. Avantages techniques

Brevet : Un dispositif pour produire du dioxyde de silicium et de l'oxyde métallique par la méthode en phase gazeuse

Brevet : un dispositif et un procédé pour produire du trichlorosilane et du tétrachlorure de silicium de haute pureté

6. L'investissement total du projet est de 150 millions de yuans.

7. Superficie du projet : 30 acres

8. Avantages économiques